這幾年智能概念拼的火熱，隨之技術(shù)革新?lián)Q代更快，也沒(méi)有所謂的巨頭一馬當(dāng)先，市場(chǎng)呈現(xiàn)的是一片火熱，據(jù)報(bào)道稱因特爾可能推遲了10納米CPU的發(fā)布，但此次三星的10納米級(jí)別動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)芯片已準(zhǔn)備就緒，率先奪的一城。

      目前三星公司正利用這一技術(shù)批量生產(chǎn)第一代8GB的DDR4芯片，領(lǐng)先于競(jìng)爭(zhēng)者SK海力士(Hynix)和美光 (Micron)。它將于今年生產(chǎn)SIMM模塊，從用于筆記本電腦的4GB內(nèi)存到企業(yè)服務(wù)器的128GB內(nèi)存不等。三星還承諾在“不遠(yuǎn)的將來(lái)”發(fā)布10納米移動(dòng)DRAM。去年三星為固態(tài)硬盤(pán)以及其它存儲(chǔ)產(chǎn)品發(fā)布了10納米NAND閃存，但將DRAM縮小到這個(gè)大小非常困難。這是因?yàn)橐资源鎯?chǔ)器要求一個(gè)與晶體管匹配的電容器，這意味著所有組件必須更小。三星表示，由于必須“將儲(chǔ)存大電荷的非常狹窄的圓柱形電容器堆疊起來(lái)放在幾十個(gè)納米寬度的晶體管上方”，這導(dǎo)致困難加倍。

      為了實(shí)現(xiàn)它，三星改進(jìn)了它的四重曝光(quadruple patterningtechnology)技術(shù)(最初用于它的Nand flash存儲(chǔ)器)，使用了多重光刻曝光來(lái)增加芯片特征的分辨率。結(jié)果產(chǎn)生了比三星上一代20納米R(shí)AM快30%、能量效率提升20%的芯片。這款RAM很可能先應(yīng)用于筆記本，但PC機(jī)制造商應(yīng)該在今年年底前購(gòu)買(mǎi)到基于這一技術(shù)的模塊。

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